|
Fälteffekttransistorn används både inom digitalteknik och inom analogteknik. I integrerade digitala kretsar utnyttjas möjligheten att integrera många transistotrer till låg kostnad. Den största nackdelen är dess begränsade spänningsförstärkning. FET tillverkas i två olika tekniker - JFET (junction field effekt transistor) och MOSFET (metal-oxide-semiconduktor field effekt transistor). MOSFET tillverkas i många olika undergrupper; ex.vis NMOS, PMOS, CMOS, VMOS etc, där CMOS har mött de största framgångarna. Den väsentliga skillnaden mellan JFET och MOSFET är att MOSFET:s metalliska styre (G) är elektriskt isolerat från kristallen med ett oxidskikt.  Ström kan gå mellan de två p-dopade pmrådena om en negativ potential ansluts till styret (G). Med denna negativa potential attraheras hål till området mellan de två p-kristallerna så att en förbindelse uppkommer. 
|
| En FET är i princip uppbygd enligt figuren till höger. Den består av i regel en n- dopad kanal omgiven av två p-dopade områden. Anslutningselektroderna kallas "Source" (S), "Drain" (D) och "Gate" (G) eller "styre". Benämningarna emitter för source och kollektor för drain förekommer ibland. |
 |
|
Styret G2 brukar vara förbunden med source (S), men i den följande funktionsbeskrivningen förbinder vi G1 och G2. Funktionen kommer därvidlag inte att ändras. |
|
Funktion: Om styret (G) förbinds med source (S) och en spänning läggs mellan drain (D) och source (S), kommer strömmen till en början att enbart bero av den pålagda spänningen och kristallens resistivitet. kollektorströmmen stiger till en början linjärt med den pålagda spänningen (FET:en fungerar som en resistans). Men vid ett visst värde på UDS kommer strömmen att nå ett mättnadsvärde IDSS. |
|
Lägger man en negativ förspänning UGS mellan gate och source, kommer pn-övergången mellan styret och kanalen att vara förspänd i backriktningen. I gränsområdet finns då inga laddningsbärare och kanalen blir därför "smalare". Mindre ström kommer att gå genom kanalen. |
|
Gränsområdet kan göras "bredare" och kanalen därmed "smalare" om den nagativa gate-sourcespänningen görs mera negativ. Till slut uppnås ett tillstånd då kanalen spärras helt och ingen ström kan gå genom den - fättransistorn är strypt. Den negativa förspänning som erfordras för att strypa transistorn kallas "pich-off-spänningen" och tecknas UP. |
|
"Pinch-off-spänningen" UP kallas ibland "Gate-Source Cutoff Voltage" och tecknas VGS(off). |
All contents copyright © 1999 M.V. All rights reserved
Revised: 1 Jan 2001